Un equipo de científicos de la Universidad de Pekín, liderado por el profesor Peng Hailin, publicó en la revista Nature Materials el desarrollo del transistor más rápido y eficiente jamás creado, que no utiliza silicio. Fabricado con bismuto en una estructura bidimensional (2D), el nuevo transistor GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) es un 40% más rápido que los chips de silicio de 3 nanómetros más avanzados de Intel y TSMC, y consume un 10% menos de energía.
«Si las innovaciones de chips basadas en materiales existentes se consideran un atajo, entonces nuestro desarrollo de transistores basados en materiales 2D es similar a cambiar de carril», explicó Peng Hailin al South China Morning Post. El transistor utiliza Bi₂O₂Se (oxicalcogenuro de bismuto) como canal semiconductor y Bi₂SeO₅ (óxido de selenito de bismuto) como material de compuerta, creando una interfaz con menos defectos que permite que los electrones fluyan «casi sin resistencia, como agua a través de un tubo liso».
El avance tiene un profundo componente geopolítico. Las sanciones tecnológicas de Estados Unidos impiden a China acceder a las máquinas de litografía más avanzadas (como las de la holandesa ASML), necesarias para fabricar chips de silicio de última generación. Al desarrollar un transistor que no depende del silicio y que puede fabricarse con equipos ya disponibles en China, el equipo de Pekín encontró una vía para eludir las restricciones de exportación occidentales.
Esto representa una amenaza directa para TSMC, la empresa taiwanesa que produce más del 90% de los chips más avanzados del mundo. Taiwán ha utilizado su dominio semiconductor como un «escudo de silicio»: la dependencia global de sus chips disuade cualquier acción militar china contra la isla. Sin embargo, si China logra producir chips competitivos sin silicio y sin necesidad de las máquinas de ASML, ese escudo comienza a erosionarse.
En febrero de 2026, el mismo equipo publicó un segundo avance en la revista Science: un transistor ferroeléctrico de bismuto con un voltaje de operación de apenas 0,8V y una resistencia superior a 1,5 billones de ciclos, superando ampliamente a los sistemas industriales actuales basados en hafnio. Esto allana el camino hacia chips de computación en memoria (computing-in-memory) que eliminan el cuello de botella entre procesamiento y almacenamiento de datos.
Para Estados Unidos, el desafío es doble: por un lado, Intel busca recuperar competitividad con su nodo 18A (transistores RibbonFET con entrega de energía trasera PowerVia), respaldado por USD 8.500 millones del CHIPS Act. Por otro, la Administración Trump impulsa la relocalización de la fabricación de semiconductores en suelo estadounidense. Pero si China logra escalar la producción de transistores de bismuto, podría alterar completamente el mapa de la industria de semiconductores, independizándose tanto del silicio como de las máquinas de litografía occidentales.
El camino desde el laboratorio a la producción masiva aún es largo y los científicos trabajan en la escalabilidad del proceso. Pero el mensaje es claro: la era post-silicio podría comenzar en China.